[工學] Epitaxy(LPE,VPE,MBE)
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작성일 21-05-03 18:03본문
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5. 결정 성장 중에 성장층의 표면 혹은 분자선에서 성장조건에 대한 여러가지 정보를 In-Situ장비로 觀察(관찰) 할 수 있어 성장제어에 feed-back 시킬 수 있다
Epitaxy 공정법중 LPE(Liquid Phase Epitaxy)와 VPE(Vapor Phase Epitaxy), MBE(Moleculer Beam Epitaxy)의 원리와 장단에 대해서 설명하였다.
3. VPE 공정원리
[工學] Epitaxy(LPE,VPE,MBE)
설명
Epitaxy 공정법중 LPE(Liquid Phase Epitaxy)와 VPE(Vapor Phase Epitaxy), MBE(Moleculer Beam Epitaxy)의 원리와 장단에 관련되어 설명(explanation)하였다.
MBE 장점(長點)
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LPE, VPE, MBE, Epitaxy
순서
4. VPE 장단점
3. 각 증착된 셀에 있는 기계공학적인 셔터나 각 셀의 온도를 제어함으로써 성장방향의 혼정조ingredient포, 불순물 도핑의 분포를 고정밀도로 제어 가능
1.초고진공을 사용하기 때문에 챔버내 잔류불순물의 부착이 매우적어 고순도의 박막을 얻을 수 있다.
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7. 성장 속도는 느리지만 품질이 우수한 장점(長點)이 있다.
2. 증착속도가 대단히 느리기 때문에 단원자층 두께로 박막을 제어할 수 있다
1. LPE 공정원리
6. BME 장단점
다.
2. LPE 장단점
5. BME 공정원리
4. 기판에 도달한 분자들이 충분한 표면이동을 할 수 있기 때문에 큰 면적에서 원자단위 정도의 균일하고 평탄한 막을 얻을 수 있다. 1. LPE 공정원리 2. LPE 장단점 3. VPE 공정원리 4. VPE 장단점 5. BME 공정원리 6. BME 장단점
6. MBE는 크기가 균일하고 우수한 광학 특성을 갖고 있어, 나노 트랜지스터나 나노 레이저, 메모리 등 나노 소자 제작에 필요한 나노 와이어의 the gist 기술이다.