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[회로實驗] transistor(트랜지스터) 의 기초

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작성일 20-07-23 09:22

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즉 에...

[회로실험] 트랜지스터의 기초 , [회로실험] 트랜지스터의 기초전기전자실험결과 , 회로실험 트랜지스터 기초
다. 에미터와 콜렉터 사이에 베이스라고 부르는 아주 얇은 층으로 되어 있따 보통 베이스 두께는 1mil(0.001inch)정도이다. 그러나 TR은 온도에 민감한 단점이 잇다.
TR이 증폭기로서 사용되기 위해서는 그림 6-2와 같이 바이어스해야 한다.실험결과/전기전자
[회로實驗] transistor(트랜지스터) 의 기초

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① 실험목적
1. 트랜지스터의 기본 동작원리를 이해하며
2. 트랜지스터의 단자를 식별하고
3. ICBO를 측정(measurement)한다
② 사용기기 및 부품
1. 직류가변전원 : 0-30V2
2. 멀티미터
3. 저항 : 100Ω 1/2W, 820Ω/10W
4. 가변저항 : 2.5kΩ 1/2W
5. 트랜지스터 : 2SC1815, 2SA1270
6. 스위치

③ theory

(그림 6-1)
트랜지스터는 다이오드와는 달리 3단자 소자로서, 소형이고 가볍고 낮은 전압에서 동작하고 전력소모가 적은 특징이 잇다.
그림 6-1은 TR의 구조와 기호이다.
REPORT 74(sv75)



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